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中心（d）320℃短真空（10-4 torr）退火30min后CuNWs网络的倾斜SEM图像。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，每日投稿邮箱：[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip.。文献链接：信息CuNanowiresPassivatedwithHexagonalBoronNitride-AnUltra-Stable,SelectivelyTransparentConductor（ACSNano,2020.,DOI:10.1021/acsnano.0c00109）【团队简介】厦门大学蔡端俊教授研究组，信息长期致力于金属纳米线材料、二维半导体薄层、深紫外（DUV）半导体LED器件、智能可穿戴传感器件之研发。

所得到的Cu@h-BN纳米晶具有高的长径比（1400），山西市场平均直径为28±2nm，高的光学透过率（550nm时大于93%）和高的导电率（60.9Ω/sq）。电力图三（a）不同T2温度下Cu@h-BNNWs网络的SEM图像。

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